宣布时间：2021-06-23 | 游览：2587
内容摘要：当下 ，新兴存储手艺越来越受到业界的瞩目 ，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器已经蛰伏待机了几十年 ，以追求适合其自身特点的应用时机 ，今天看来它们的时机真的到来了。
当下 ，新兴存储手艺越来越受到业界的瞩目 ，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器已经蛰伏待机了几十年 ，以追求适合其自身特点的应用时机 ，今天看来它们的时机真的到来了。
现实上 ，在以上提到的几种存储类型中 ，有一些已经批量生产了 ，且这些芯片也带来了较好的销售收入。随着先进的逻辑处置惩罚制程节点驱动重大的处置惩罚器和ASIC接纳新兴的、具有长期存储能力的手艺 ，市场有望泛起显著转变。与此同时 ，业界大佬英特尔已最先起劲推广其新的3D XPoint存储器 ，用作高级盘算的非易失性内存。SNIA（Storage Networking Industry Association）、JEDEC和其他标准组织 ，以及Linux社区和主要软件公司正在起劲建设须要的标准和生态系统 ，以支持这些新存储手艺的长期性生长。 本文将从多个角度审阅新兴存储器手艺 ，并展望这些手艺怎样改变芯片市场。 新兴存储手艺保存的须要性 业界保存着这样一个疑问：既然基于硅的存储手艺一直是优选计划 ，为什么还要去研究非硅基存储器呢？有改变的须要吗？ 着实 ，这个问题并不难回覆。 硅存储器手艺得益于它们始终接纳与生产CMOS逻辑芯片险些相同的工艺手艺 ，可以使用存储器和逻辑工艺配合开发的优势。现实上 ，在20世纪80年月中期之前 ，逻辑和存储制程是相同的。直到那时 ，存储市场才变得足够大（凌驾50亿美元/年） ，它可以支持任何特另外制程工艺开发。 即便云云 ，存储芯片的制程工艺和逻辑制程一直没有大的区别 ，存储器和逻辑芯片之间的这种协同作用可继续降低制程工艺的开发本钱。 险些所有新兴存储器手艺都使用了未用于逻辑制程的新质料 ，因此它们不会从这种协同作用中受益。与硅相比 ，这些新质料并未获得很好的明确 ，而缺乏明确会导致产量问题。 那今 ，为什么新兴存储手艺会在短时间内取得快速生长呢？ 思量到NAND闪存演进到3D的缘故原由是平面浮动栅极（NAND和NOR闪存的基本位单位）不可缩小到低于15nm。这是所有NAND闪存制造商将平面手艺转换为3D的主要缘故原由。 眼下 ，半导体行业最先进的逻辑工艺已经微缩到10nm以下 ，现在 ，台积电已经最先量产7nm芯片了� ；谡庑┞呒瞥坦ひ展菇ǖ腟oC将通过包括固件的非易失性存储器受益 ，但存储器需要在15nm工艺上天生。接纳7nm逻辑制程和15nm闪存的芯片 ，可能不如使用15nm工艺的逻辑和存储器芯片。从这个角度来看 ，似乎不可阻止地需要一些新手艺来使非易失性存储器继续随逻辑芯片同步生长。 若是为逻辑芯片开发新的存储手艺 ，那么开发的工艺手艺可以应用于自力的存储器芯片 ，并且本钱很是适中。这意味着分立式新兴存储芯片市场也可能有大生长。可是 ，这种情形下尚有其他因素在起作用 ，详细内容下文会有先容。 人们已经破费了相当大的起劲来开发新的存储器 ，以便一旦突破其在15nm处的扩展限制 ，就取代NAND。然而 ，NAND闪存开发商却通过转向3D来想法找到解决问题的要领 ，这使得新手艺很难在短时间内攻克NAND市场。因此 ，新兴存储器公司已经转移了他们的注重力 ，寄希望于即将泛起的DRAM扩展 ，可能是由于其制程微缩到10nm以下 ，将为他们的手艺开发一个主要的市场。这确实可能爆发 ，DRAM开发职员体现 ，他们仍然有许多路径可以进一步扩展 ，而不需要MRAM等新兴的存储手艺。 从今天的角度来看 ，新兴存储器手艺可能首先作为逻辑SoC的嵌入式存储器 ，一部分先实现大批量生产 ，随后演进成为分立存储器市场的主要组成部分。 位选择器 在先容和界说所有新兴存储手艺之前 ，我们需要先相识一下位选择器（bit selectors）这个看法 ，缘故原由是要用位选择器来确定可以获得多小的位单位 ，这是新存储手艺总本钱的一个很是主要的考量因素和组成部分。本钱很是主要 ，由于没有系统设计职员会使用过于腾贵的组件。 或许您从未听说过选择器 ，着实它并不重大 ，下面详细诠释一下。 存储芯片中的每个位单位都需要一个选择器 ，它将位单位的内容路由到总线上 ，通过总线毗连芯片的引脚 ，允许读取或写入。位单位手艺决议着选择器的类型：SRAM使用两个晶体管 ，DRAM使用一个晶体管 ，闪存将晶体管与位单位毗连起来 ，以便晶体管存储该位并举行选择操作。 新兴存储手艺使用的选择器比当今领先的存储手艺所需的简朴许多 ，它们可以使用双端选择器或三端选择器 ，电路如下图所示 ，可以看到两者之间没有太大区别。在这两种情形下 ，选择器通过用晶体管将其关闭来控制通过位单位的电流 ，或者当电流通过二极管反转时将其关闭。 下面先容一下选择器的基来源理。 第一个是电阻式RAM（ReRAM）阵列 ，下图是其简朴的俯视图。每个位单位由字线和位线的交织点体现（此图已经由简化 ，未显示选择器） ，字线提供电流以选摘要读取或写入哪一行位。位线读取该字线上的位 ，或者它允许施加到位线的电流对该位举行编程。 位可以处于高阻态或低阻态 ，这里使用红色体现高电阻状态 ，绿色体现低电阻状态 ，在这些状态下 ，要么电流阻止流动 ，要么允许电流通过。 如下图所示 ，我们现在假设没有选择器。若是一个位置于低电阻状态 ，且其字线（蓝色）通电（激活） ，则电流从字线通过位线（绿色）流向绿色单位。没有其它位线吸收电流 ，由于它们的所有位单位都处于高阻态（红色）。 若是激活任何其他字线 ，则没有电流流入任何位线 ，由于所有其它单位都是红色 ，这意味着它们处于高电阻状态。 可是 ，当其它位处于低电阻状态时 ，会泛起问题。详细如下图所示。 沿着位线向下游动的输出电流也可以沿着位线向上流动随处于低电阻状态的另一个单位 ，如图中的条纹箭头体现。该低电阻位允许电流向后流到另一个字线 ，并且该字线上的任何位都可以将该过失电流指导到其自己的位线上。 想象一下 ，该图具有1,024 x 1,024阵列的位 ，并且这些位被随机编程为50/50混淆的低电阻和高电阻状态。在不使每一个位线输出电流的情形下 ，任何字线都不可能通电！ 选择器的作用就是要确保不会爆发以上情形。二极管可以与位单位串联 ，以避免反向电流流到其它字线上。在一些新兴存储手艺中 ，二极管可以放在位单位的正下方 ，使它基础不占用空间（在Crossbar公司的设计中 ，选择器现实上是位单位存储机制的一个功效 ，相关的白皮书中对此举行了详尽的诠释）。 然而 ，大大都存储器不可使用二极管作为选择器 ，由于电流必需双向通过单位。这在下文有详细说明。现在 ，业界仍在举行大宗的研究事情 ，以开发优异的双向选择器 ，其在低电压下体现得像二极管 ，在较高电压下体现为电阻器。但在大大都情形下 ，使用晶体管要容易得多 ，如上面三端选择器原理图所示。 可是 ，晶体管选择器需要大宗空间 ，由于字线和源线必需跨阵列运行。通过下图可以简陋地相识一下它的事情原理。 由于每条字线都有一条源线相随 ，因此 ，与双端设置一样 ，半字线将适合给定区域。这使得存储器本钱约莫是双终端选择器的两倍。 从事新兴存储手艺的开发职员会对能够通过二极管举行选择的手艺感应很是兴奋 ，这是一种可以减小尺寸和本钱的要领 ，由于芯片的本钱与其面积成正比。不幸的是 ，大大都新兴存储手艺需要正向电流写入和反向电流擦除 ，因此简朴的二极管将无法事情。业界正在开发双向选择器 ，但另一个问题会故障它们 ，是什么呢？下文会讨论到。 PCM似乎在这方面具有优势。正如将在下文诠释的那样 ，PCM编程并用正向电流擦除 ，因此只需要一个简朴的二极管作为PCM单位的选择器。英特尔Fellow Al Fazio是3D XPoint 存储手艺的教父 ，他在3D XPoint宣布前两年宣传了这一看法。然而 ，这似乎还不敷 ，需要更多的工具。 选择器很难做到绝对准确。当3D XPoint于2015年首次推出时 ，Micron的Scott deBoer体现 ，您可以用险些任何质料制作ReRAM的位单位 ，但选择器却是个棘手问题。 那么双向选择器有什么用呢？若是选择器的“开”与“关”电阻的比率为100：1 ，并且有100条通往位线的潜行路径 ，那么来自100条潜行路径的电流将即是来自正当路径的电流。在大型阵列中 ，这险些一定会爆发。选择器必需具有更好的执行能力。然而 ，在大大都情形下 ，晶体管提供更好的开/关比 ，并且允许双向电流通过 ，因此它就成为了须要的“恶魔”。 所有这些都是为相识释选择器对存储器阵列面积有显着影响 ，且阵列的本钱与其面积成正比。因此 ，与必需使用三端选择器的存储器相比 ，可以使用具有双端选择器的存储器 ，这样更有时机与现有成熟的存储器竞争。 MRAM/ReRAM/PCM/XPoint/FRAM谁主沉��？ PCM：也称为PRAM ，相变存储器手艺基于在正� Ｇ樾挝露认挛薅ㄐ位蚪峋У闹柿�。晶态具有低电阻 ，非晶态具有高电阻。 在化学和物理学中 ，任何无定形的物质都被称为液态或气态。固态 ，液态和气态也称为“相位”。相变存储器的名称源于位单位在晶相和非晶相之间切换的效果。 自20世纪60年月最先研究以来 ，PCM 于2006年首次出货。该手艺通� ；诹蚴艋锊ＡВ╟halcogenide glasses） ，英特尔/美光团结开发的3D XPOINT内存就是基于PCM的。PCM的最大优势是：它可以使用简朴的2端二极管 ，而不是双向器件举行选择 ，由于在设置、复位或读取位时电流的运行偏向相同。 MRAM：磁性RAM基于巨磁阻（GMR） ，其自20世纪90年月初以来一直用于HDD纪录头。当多层GMR堆叠的某些层在相同偏向上被磁化时 ，另一层将体现为低电阻。当它们以相反偏向磁化时 ，层的电阻会很高。这种磁化可以通过导线周围的�。═oggle Mode MRAM）爆发 ，也可以通过使正向或反向电流通过位单位（Spin-Tunnel Torque或STT MRAM）来实现。现在 ，这两种产品都有出货。 MRAM已经获得了大宗投资 ，这爆发了许多STT MRAM变体 ，包括笔直STT、历程自旋扭矩、旋转轨道扭矩（SOT）等。只管迄今为止所有装备都使用了三端选择器 ，但最近的研究批注 ，未来几年可能会使用双端选择器。 ReRAM：电阻式RAM有许多名称 ，ReRAM、RRAM和Memristor是最常见的。ReRAM最普遍的界说包括使用电阻存储元件的任何存储器; 包括PCM和MRAM。为了将它们区脱离来 ，这里的ReRAM是任何非PCM或MRAM的、基于电阻的存储手艺。 大大都ReRAM中的位设置/复位机制涉及金属丝或氧空位的爆发和消除：原子现实上在器件内移动。这自然会导致磨损 ，但研究职员以为这种磨损可以大大低于NAND闪存。该历程使用正向和反向电流 ，这有时使得三端子选择器比双端子选择器更容易使用。可是 ，某些ReRAM可以与双端选择器配合使用 ，某些变体甚至可以在位单位内执行选择。这使得它们在单层中使用时是经济的 ，并且允许它们在多层中结构以进一步降低本钱。 虽然大大都ReRAM使用新质料 ，但一些公司已经开发出可以使用已经用于大批量芯片生产的成熟质料制造。现在 ，某些ReRAM已经批量出货。 FRAM：铁电存储器 ，FRAM或FeRAM ，但它并不使用铁 ，这项手艺之以是这样命名 ，是由于它的机制与铁被磁化和去磁时的机制十分类似。在一个偏向上的电流将使FRAM单位内的原子转移到分子的一端 ，反向电流将它们转移到另一端。 FRAM通常不是电阻存储器。今天生产的FRAM使用破损性读取机制 ，其向单位施加写入电压。若是电流流动 ，则意味着原子从单位的一端移动到另一端 ，并且单位处于擦除状态。若是没有电流流动 ，则原子已经在电池的那一端。若是读取操作导致原子移动 ，则在读取单位格之后必需将该原子恢复到原始位置。 最近的研究发明 ，FRAM可以使用氧化铪制成 ，氧化铪是一种普遍应用于半导体工厂的质料。这是FRAM区别于其他新兴存储手艺的决议性优势。现在的FRAM使用三端选择器 ，这对其承载能力有一定限制。 其他手艺：NRAM由碳纳米管 ，石墨烯存储器 ，导电电子RAM（CeRAM）和上述手艺的变体制成 ，如聚合物铁电体 ，铁电隧道结（FTJ） ，铁电FET（FeFET） ，界面PCM（iPCM ，也称为Superlattice PCM或TRAM） ，磁电RAM（MeRAM） ，Racetrack Memory等等。 综上 ，当DRAM和NAND闪存无法继续降低本钱时 ，所有新手艺都会争取下一代存储市园职位 ，但在此之前必需战胜诸多手艺和应用障碍。 新存储质料研究 新兴存储器的研发 ，必需举行大宗的测试 ，以准确研究这些新手艺和质料的性能。若是使用一批300mm晶圆举行单次测试 ，特殊是若是不可在该晶圆上运行其它测试的话 ，本钱会大幅增添。 另一个很大的难题是大大都存储器制造商在很是高效和大批量的晶圆厂运行晶圆 ，要中止生产历程以注入一批测试晶圆是危险和铺张的。大大都晶圆厂管理职员都不肯改变流程来接受实验。 那么 ，可以接纳哪些步伐来改善这种状态呢？ Intermolecular, Inc. (IMI)公司有一个解决计划 ，他们已经建设了一个小晶圆厂 ，允许单个晶圆以跨越单个晶圆转变的参数举行处置惩罚。以这种方法 ，一个晶圆可以同时举行36个或更多个差别的实验。这显然比在36片晶圆上举行实验更为经济。 该公司称自己为 研发外包公司。 一些读者可能已经猜到：这将需要特殊的工具。标准晶圆处置惩罚工具旨在为半导体晶圆的整个外貌提供绝对一致的处置惩罚效果 ，IMI修改了行业标准工具 ，允许研究职员在晶圆上的差别区域以受控方法改变参数。这不但大大降低了实验本钱 ，还加速了工艺 ，将其缩短到标准半导体加工设施所需时间的一小部分。IMI声称这种要领可以加速筛查10~100次。 如上图所示 ，晶片被分成若干个“黑点”。凭证实验之前的决议 ，每个黑点的制程都与晶圆上的任何其他黑点略有差别 ，允许在统一晶圆上表征许多变量。下图所示为这种特征的样本图。 在新兴存储手艺中 ，大大都位单位构建在两个金属互连层之间 ，这两个金属互连层在生产历程中很晚才形成。这意味着客户可以使用自己的工具来处置惩罚晶圆上的所有通例CMOS逻辑层 ，然后将其发送给IMI ，以沉积最终金属层和这些金属层之间的位层。 IMI公司体现 ，他们正在表征的一些质料是MRAM ，FRAM ，无电容DRAM ，FTJ（铁电隧道结） ，相变存储器（PCM） ，硫属化物 ，TRAM（拓扑开关RAM） ，界面相变存储器（iPCM） ，相关电子RAM（CeRAM）和ReRAM。 IMI还在致力于其他非存储器项目的研究 ，包括量子盘算器件 ，标准HKMG逻辑（高k金属栅极） ，光伏和LED ，甚至窗玻璃涂层（coatings for window glass）。 该公司官员体现 ，IMI已经举行了1,800多次实验 ，并对225种新质料举行了分类。 位于圣何塞的IMI是仍然保存于硅谷的少少数晶圆厂之一 ，另外尚有应用质料的Maydan手艺中心 ，Thinfilm工厂和Lam Research的培训工厂。Apple于2015年从Maxim Integrated购置了一个完全式调试（fully-tooled）工厂 ，但不可确定它是否仍在使用。 结语 本文先容了诸多新兴存储手艺 ，以及这些手艺关于应用和市场的价值 ，还重点探讨了它们的位选择器 ，别的 ，还举例说明晰新存储质料及批量生产情形。但这些并不是所有。之后的文章 ，我们还将探讨这些新兴存储手艺关于工艺和生产装备提出的要求和挑战 ，并将详细先容新兴的存储器企业 ，还会对未来市场做出展望。敬请期待。
本篇内容泉源于网络 ，若有侵权 ，请联系删除
服务热线：
版权所有
来利国际w66官方网站联系地址：
福建省龙岩市上杭县蛟洋镇蛟洋工业集中区工业路6号
闽公网安备 35082302000172号
闽ICP备2021002793号-1
中文版
ENGLISH